內存條可以通過查看內存顆粒的型號來確認其容量大小。
    下面就以幾個大廠的內存顆粒編碼規則為例來說明內存容量的辨識方法。

三星內存顆粒

    目前使用三星的內存顆粒來生產內存條的廠家非常多，在市場上有很高的占有率。由于其產品線龐大，所以三星內存顆粒的命名規則非常復雜。三星內存顆粒的型號采用一個16位數字編碼命名的。這其中用戶更關心的是內存容量和工作速率的識別，所以我們重點介紹這兩部分的含義。
編碼規則：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
    主要含義：
    第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。
    第2位——芯片類型4，代表DRAM。
    第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
    第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
    第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
    第11位——連線“-”。
    第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
    知道了內存顆粒編碼主要數位的含義， 拿到一個內存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣 我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆字節）。
    注：“bit”為“數位”，“B”即字節“byte”，一個字節為8位則計算時除以8。關于內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC 內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之后，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數 據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判 定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。

Micron內存顆粒

    Micron（美光）內存顆粒的容量辨識相對于三星來說簡單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
    MT——Micron的廠商名稱。
    48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
    LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
    16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
    A2——內存內核版本號。
    TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。 
    -75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
    實例：一條Micron DDR內存條，采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
    其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節）。

西門子內存顆粒

    目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列 出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

    HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，后三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits； HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
    Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線，然后標上工作速率。
    -7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
    -8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
    例如：
    1條Kingston的內存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆字節）。
    1條Ramaxel的內存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆字節）。

Kingmax內存顆粒

    Kingmax內存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專利產品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量： 64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。

    容量備注：
    KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
    KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
    KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
    KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
    KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
    Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號后用短線符號隔開標識內存的工作速率：
    -7A——PC133 /CL=2；
    -7——PC133 /CL=3；
    -8A——PC100/ CL=2；
    -8——PC100 /CL=3。
    例如一條Kingmax內存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒制造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆字節）。

HYUNDAI（現代）

    現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表現代的產品；5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D =DDRSDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存芯片內部由幾個Bank組成（1、2、 3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封 裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s= 10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。 
    例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100

LGS內存顆粒:

   LGs早已被HY現代納入麾下，但還是有必要單獨介紹下它。LG現有的內存條編號后綴為7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100規格的，速度極慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J 和7K工作模式的速度參數不同，LGs 7J編號在1073222，LGs 7K編號是1072222，兩者的主要區別是第三個反應速度的參數上。而8才是真正的8ns PC 100內存，但國內沒有出現。現在市面上還有很多10K的LGs內存，速度比7J和7K差很遠，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的 來賣。而7J和7K經過測試比較，7K比7J的更優秀，上133MHz時7K比7J更穩定，但7K的市面上不多見。

　　LGS的SDRAM芯片上的標識為以下格式：

　　GM72V XX XX X 1 X X T XX

　　GM代表為LGS的產品。

　　72代表SDRAM。

　　第1、2個X代表容量，類似現代，16為16Mbits，66為64Mbits。

　　第3、4個X表示數據位寬，一般為4、8、16等，不補0。

　　第5個X代表Bank，2對應2個Bank，4對應4個Bank，和現代的不一樣，屬于直接對應。

　　第6個X表示是第幾人版本的內核，現在至少已經排到"E"了。

　　第7個X如果是字母"L"，就是低功耗，空白則為普通。

　　"T"為常見的TSOPⅡ封裝，現在還有一種BLP封裝出現，為"I"。

　　最后的XX自然是代表速度：

　　7.5：7.5ns［133MHz］

　　8：8ns［125MHz］

　　7K：10ns［PC-100 CL2或3］

　　7J：10ns［100MHz］

　　10K：10ns［100MHz］

　　12：12ns［83MHz］

　　15：15ns［66MHz］

　　高士達（LGS）SDRAM內存芯片的識別
　　一、高士達SDRAM內存芯片編號識別
　　GM 72 X X XX X X X X X XXX
　　1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
　　
    現代SDRAM的內存芯片上的編號如上所示，其各位編號的意義如
下：
　　1：PREFIX OF LGS（LGS產品的前綴）
　　MEMORY IC的前綴
　　2：FAMILY（內存種類）
　　72:SDRAM
　　3：PROCESS＆POWER SUPPLY(工藝和電壓)
　　V:CMOS(3.3V)
　　4：DENSITY＆REFRESH（內存密度和刷新）
　　16:16M,4K Ref
　　17:16M,2K Ref
　　28:128M,4K Ref
　　55:256M,16K Ref
　　56:256M,8K Ref
　　57:256M,4K Ref
　　64:64M,16K Ref
　　65:64M,8K Ref
　　66:64M,4K Ref
　　5：DATA WIDTH（數據帶寬）
　　4:×4
　　8:×8
　　16:×16
　　32:×32
　　6：BANK（芯片組成）
　　1:1 BANK
　　2:2 BANK
　　4:4 BANK
　　8:8 BANK
　　7：I/O INTERFACE（I/O界面）
　　1:LVTTL
　　8：REVISION NO.（修正版本）
　　BLANK:ORIGINAL
　　A:FIRST
　　B:SECOND
　　C:THIRD
　　D:FOURTH
　　E:FIFTH
　　F:SIXTH
　　9：POWER（功率）
　　Blank:STANDARD
　　L:LOW－POWER
　　10：PACKAGE（IC封裝）
　　T:TSOP(NORMAL)
　　R:TSOP(REVERSE)
　　I:BLP
　　K:TSOL
　　S:STACK
　　11：SPEED（速度）
　　6:150MHz
　　7:143MHz
　　74:135MHz
　　75:133MHz
　　8:125MHz
　　7K:(PC100,2－2－2)＊
　　7J:(PC100,3－2－2)＊＊
　　10K:(PC66)＊＊＊
　　10J:(PC66)＊＊＊＊
　　12:83MHz
　　15:66MHz
　　Note（注釋）:
　　＊7K means to meet tCK=10ns,C.L=2,tAC=6ns。
　　＊＊7J means to meet tCK=10ns,C.L=3,tAC=6ns。
　　＊＊＊10K means to meet tCK=15ns,C.L=2,tAC=9ns。
　　＊＊＊＊10J means to meet tCK=15ns,C.L=3,tAC=9.5ns。